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Modeling of Dopant Diffusion in Silicon Modélisation de la diffusion de dopants dans le silicium

Scott T. DUNHAM, Alp H. GENCER, Srinivasan CHAKRAVARTHI

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Résumé:

Ces dernières années ont vu de grands progrès dans notre compréhension et notre modélisation de la diffusion couplée de dopants et de défauts dans le silicium au cours des processus de fabrication de circuits intégrés. Cependant, la diminution constante des dimensions et des tolérances des appareils entraîne de nouveaux problèmes et nécessite des modèles encore meilleurs. Dans cette revue, nous abordons certaines des avancées dans la compréhension de la diffusion médiée par des défauts, en nous concentrant sur les équations et les paramètres appropriés pour la modélisation de la diffusion des dopants dans les structures submicroniques.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.6 pp.800-812
Date de publication
1999/06/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section INVITED PAPER (Special Issue on TCAD for Semiconductor Industries)
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