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Improved IMD Characteristics in L/S-Band GaAs FET Power Amplifiers by Lowering Drain Bias Circuit Impedance Caractéristiques IMD améliorées dans les amplificateurs de puissance GaAs FET en bande L/S en réduisant l'impédance du circuit de polarisation de drain

Isao TAKENAKA, Hidemasa TAKAHASHI, Kazunori ASANO, Kohji ISHIKURA, Junko MORIKAWA, Hiroaki TSUTSUI, Masaaki KUZUHARA

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Résumé:

Cet article décrit un amplificateur HFET AlGaAs/GaAs haute puissance et faible distorsion développé pour le système de station de base cellulaire numérique. Nous avons prouvé expérimentalement que les caractéristiques de distorsion telles que l'IMD (Intermodulation Distortion) ou le NPR (Noise Power Ratio) sont considérablement dégradées lorsque la valeur absolue de l'impédance du circuit de polarisation de drain à basse fréquence est élevée. Sur la base des résultats expérimentaux, nous avons conçu le circuit de polarisation de drain pour ne pas influencer les caractéristiques de distorsion. L'amplificateur développé utilisait deux paires de puces GaAs pré-adaptées montées sur un seul boîtier et la puissance de sortie totale était combinée dans une configuration push-pull avec un circuit balun microruban. L'amplificateur push-pull a démontré des performances de pointe avec une puissance de sortie de 140 W avec un gain linéaire de 11.5 dB à 2.2 GHz. De plus, il présentait des performances de distorsion extrêmement faibles, inférieures à 30 dBc à deux tons - puissance de sortie totale de 46 dBm. Ces résultats indiquent que la conception du circuit de polarisation de drain est d'une grande importance pour obtenir des caractéristiques IMD améliorées tout en conservant des performances de puissance élevées.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.5 pp.730-736
Date de publication
1999/05/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Low Distortion Technology for Microwave Devices and Circuits)
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