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A 1. 9 GHz Single-Chip RF Front-End GaAs MMIC with Low-Distortion Cascode FET Mixer Un MMIC GaAs frontal RF monopuce de 1, 9 GHz avec mélangeur FET Cascode à faible distorsion

Masatoshi NAKAYAMA, Kenichi HORIGUCHI, Kazuya YAMAMOTO, Yutaka YOSHII, Shigeru SUGIYAMA, Noriharu SUEMATSU, Tadashi TAKAGI

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Résumé:

Nous avons présenté le MMIC GaAs frontal RF monopuce pour le système de téléphone portable personnel japonais. Il dispose d'un HPA à haut rendement, d'un commutateur T/R, d'un LNA et d'un mélangeur convertisseur abaisseur à faible distorsion. Le circuit intégré utilise un générateur de tension négative pour l'utilisation d'une alimentation CC à tension unique. Le HPA fournit une puissance de sortie de 21.5 dBm, avec un ACPR de 55 dBc et un rendement de 35%. Le LNA a un facteur de bruit de 1.6 dB et un gain de 14 dB avec un courant de 2.3 mA. Le mélangeur FET cascode actif nouvellement développé a un IIP3 élevé de 1 dBm avec un gain de conversion élevé de 10 dB et un courant de faible consommation de 2.3 mA. Le circuit intégré se caractérise par de hautes performances pour le frontal RF des terminaux portables PHS. Le CI est disponible dans un format de 7.0 mm6.4 mmEmballage en plastique de 1.1 mm.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.5 pp.717-724
Date de publication
1999/05/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Low Distortion Technology for Microwave Devices and Circuits)
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