La fonctionnalité de recherche est en construction.
La fonctionnalité de recherche est en construction.

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. ex. Some numerals are expressed as "XNUMX".
Copyrights notice

The original paper is in English. Non-English content has been machine-translated and may contain typographical errors or mistranslations. Copyrights notice

High-Voltage MOS Device Modeling with BSIM3v3 SPICE Model Modélisation de dispositifs MOS haute tension avec le modèle SPICE BSIM3v3

Takao MYONO, Eiji NISHIBE, Shuichi KIKUCHI, Katsuhiko IWATSU, Takuya SUZUKI, Yoshisato SASAKI, Kazuo ITOH, Haruo KOBAYASHI

  • Vues en texte intégral

    0

  • Citer

Résumé:

Cet article présente une nouvelle technique de modélisation précise des dispositifs MOS à drain légèrement dopé haute tension (MOS HV) avec le modèle SPICE BSIM3v3. Les modèles SPICE standard ne modélisent pas la dépendance en tension de Rs et à la Rd dans les appareils HT MOS ; cela entraîne de grands écarts entre les caractéristiques IV simulées et mesurées des dispositifs HV MOS. Nous proposons d'attribuer des significations physiques et des valeurs différentes du modèle BSIM3v3 original à trois de ses paramètres pour représenter la dépendance en tension de Rs et à la Rd. Avec cette méthode, nous avons réussi à extraire des paramètres de manière très précise, et les caractéristiques IV simulées des dispositifs HV MOS utilisant les paramètres extraits correspondent bien aux résultats mesurés. La relation entre la technique de modélisation proposée et le mécanisme physique des dispositifs HT MOS est également discutée sur la base des résultats de mesures et de simulation de dispositifs. Étant donné que notre méthode ne modifie aucune équation du modèle BSIM3v3, elle peut être appliquée à n'importe quel simulateur SPICE sur lequel le modèle BSIM3v3 s'exécute. Nous pouvons donc utiliser la simulation SPICE pour une conception précise de circuits complexes utilisant des dispositifs MOS HT.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.4 pp.630-637
Date de publication
1999/04/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on Microelectronic Test Structures)
Catégories

Auteurs

Mots-clés

Table des matières