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DC and AC Performances in Selectively Grown SiGe-Base HBTs Performances CC et CA dans les HBT SiGe-Base cultivés de manière sélective

Katsuya ODA, Eiji OHUE, Masamichi TANABE, Hiromi SHIMAMOTO, Katsuyoshi WASHIO

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Résumé:

Un Si cultivé sélectivement1-xGex Un transistor bipolaire à hétérojonction de base (HBT) a été fabriqué et les effets des profils Ge et B sur les performances du dispositif ont été étudiés. Puisqu’aucun courant de fuite évident n’a été observé, il est démontré qu’une bonne cristallinité du Si1-xGex a été réalisé en utilisant un système UHV/CVD avec H haute pression2 pré-nettoyage du support. Un gain de courant très élevé de 29,000 130 a été obtenu dans un HBT avec un profil Ge uniforme en augmentant à la fois l'injection d'électrons de l'émetteur vers la base et en réduisant l'énergie de la bande interdite dans la base. Étant donné que la tension précoce est affectée par la gradation de la teneur en Ge dans la base, le HBT avec le profil Ge progressif fournit une tension précoce très élevée. Cependant, la tension de claquage est dégradée par l'augmentation de la teneur en Ge en raison de la réduction de l'énergie de la bande interdite et de la modification du profil du dopant. Pour augmenter la fréquence de coupure, la diffusion des dopants doit être supprimée et l'accélération des porteurs par le champ de dérive interne avec le profil Ge gradué a un effet supplémentaire. Ce faisant, une fréquence de coupure extrêmement élevée de XNUMX GHz a été obtenue en HBT avec des profils Ge gradués.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.11 pp.2013-2020
Date de publication
1999/11/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on High-Frequency/High-Speed Devices for Information and Communication Systems in the 21st Century)
Catégories
CI RF à faible consommation d'énergie

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