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High Performance HJFET MMIC with Embedded Gate Technology for Microwave and Millimeter-Wave IC's Using EB Lithography (EMMIE) MMIC HJFET haute performance avec technologie de grille intégrée pour les circuits intégrés à micro-ondes et à ondes millimétriques utilisant la lithographie EB (EMMIE)

Akio WAKEJIMA, Yoichi MAKINO, Katsumi YAMANOGUCHI, Norihiko SAMOTO

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Résumé:

Un HJFET AlGaAs/InGaAs à gain élevé a été développé avec la technologie de grille intégrée pour les circuits intégrés à micro-ondes et à ondes millimétriques utilisant la lithographie EB (EMMIE). EMMIE est constitué d'un SiO direct2 ouverture par gravure sèche en deux étapes avec un masque de résistance chimiquement amplifié. Les modèles de grille de 0.14 µm délimités sur des tranches de 4 pouces présentaient un petit écart de 10 nm dans Lg et Vth écart type de 55 mV. La distance optimale entre le haut du portail et la surface de la niche (hg) a été déterminé à l'aide d'un simulateur de dispositif bidimensionnel afin d'étudier l'effet de la grille fringante pour drainer la capacité sur les performances de gain RF. L'amplificateur MMIC HJFET à un étage fabriqué présentait des performances de gain extrêmement élevées de 12.4 dB à 76 GHz.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.11 pp.1977-1981
Date de publication
1999/11/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on High-Frequency/High-Speed Devices for Information and Communication Systems in the 21st Century)
Catégories
CI RF à faible consommation d'énergie

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