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A 100 W S-Band AlGaAs/GaAs Heterostructure FET for Base Stations of Wireless Personal Communications Un FET à hétérostructure AlGaAs/GaAs en bande S de 100 W pour les stations de base de communications personnelles sans fil

Seiki GOTO, Kenichi FUJII, Tetsuo KUNII, Satoshi SUZUKI, Hiroshi KAWATA, Shinichi MIYAKUNI, Naohito YOSHIDA, Susumu SAKAMOTO, Takashi FUJIOKA, Noriyuki TANINO, Kazunao SATO

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Résumé:

Un FET à hétérostructure AlGaAs/GaAs de 100 W à faible distorsion a été développé pour les stations de base cellulaires CDMA. Ce FET utilise le doigt de grille le plus long jamais signalé, soit 800 µm, pour réduire la taille de la puce. La taille de la puce et du boîtier est miniaturisée à 1.242.6 mm2 17.4 24.0 mm2, respectivement. Le FET développé présente une puissance de sortie à saturation de 100 W (50 dBm) et un gain de puissance de 11.5 dB avec un gain de compression de 1 dB à 2.1 GHz. La distorsion d'intermodulation du troisième ordre et l'efficacité de la puissance ajoutée dans les conditions de test à deux tons (Δf=1 MHz) sont respectivement de -35 dBc et 24 %, à une puissance de sortie de 42 dBm, soit 8 dB en retrait par rapport à la puissance de saturation.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.11 pp.1936-1942
Date de publication
1999/11/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on High-Frequency/High-Speed Devices for Information and Communication Systems in the 21st Century)
Catégories
Dispositifs d'alimentation RF

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