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A GSM900/DCS1800 Dual-Band MMIC Power Amplifier Using Outside-Base/Center-Via-Hole Layout Multifinger HBT Un amplificateur de puissance MMIC double bande GSM900/DCS1800 utilisant un HBT multi-doigts à base extérieure/centre via trou

Kazutomi MORI, Kenichiro CHOUMEI, Teruyuki SHIMURA, Tadashi TAKAGI, Yukio IKEDA, Osami ISHIDA

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Résumé:

Un amplificateur de puissance MMIC (circuit intégré monolithique à micro-ondes) AlGaAs/GaAs HBT (transistor bipolaire à hétérojonction) GSM900/DCS1800 a été développé. Il comprend des amplificateurs de puissance pour GSM900 et DCS1800, des circuits de polarisation à tension constante et un commutateur CC. Afin d'obtenir un rendement élevé, la disposition base extérieure/centre via trou est appliquée au HBT de l'étage final de l'amplificateur MMIC. La disposition peut réaliser une impédance de charge de sortie et une répartition thermique uniformes de chaque doigt HBT. L'amplificateur MMIC développé pourrait fournir une puissance de sortie de 34.5 dBm et un rendement de puissance ajoutée de 53.4 % pour le GSM900, et une puissance de sortie de 32.0 dBm et un rendement de puissance ajoutée de 41.8 % pour le DCS1800.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E82-C No.11 pp.1913-1920
Date de publication
1999/11/25
Publicisé
ISSN en ligne
DOI
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Issue on High-Frequency/High-Speed Devices for Information and Communication Systems in the 21st Century)
Catégories
Dispositifs d'alimentation RF

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