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Compact Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor Model for Device/Circuit Optimization Modèle compact de transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur à double grille pour l'optimisation des dispositifs/circuits

Norio SADACHIKA, Takahiro MURAKAMI, Hideki OKA, Ryou TANABE, Hans Juergen MATTAUSCH, Mitiko MIURA-MATTAUSCH

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Résumé:

Nous avons développé un modèle compact de transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur à double grille pour la simulation de circuits prenant en compte l'effet d'inversion de volume en résolvant explicitement l'équation de Poisson. Il est vérifié que la dépendance à la tension appliquée des valeurs de potentiel calculées à la fois à la surface et au centre de la couche de silicium reproduit les résultats de simulation de dispositif en 2 dimensions pour toute structure de dispositif, confirmant ainsi la validité du modèle pour l'optimisation du dispositif.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.8 pp.1379-1381
Date de publication
2008/08/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.8.1379
Type de manuscrit
LETTER
Catégories
Matériaux et dispositifs semi-conducteurs

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