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Highly Reliable Submicron InP-Based HBTs with over 300-GHz ft HBT submicroniques InP hautement fiables avec plus de 300 GHz ft

Norihide KASHIO, Kenji KURISHIMA, Yoshino K. FUKAI, Shoji YAMAHATA

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Résumé:

Nous avons développé des HBT basés sur InP à émetteur de 0.5 µm avec une grande fiabilité. Les HBT intègrent une structure de rebord de passivation et un métal émetteur à base de tungstène. Un HBT fabriqué présente une densité de courant de collecteur élevée et un gain de courant de 58 à une densité de courant de collecteur de 4 mA/µm2. Les résultats des mesures en courant continu indiquent que la couche de rebord supprime suffisamment le courant de recombinaison à la périphérie émetteur-base. Le HBT présente également un ft de 321 GHz et un fmax de 301 GHz à une densité de courant de collecteur de 4 mA/µm2L’ ft ne se dégrade pas même si la taille de l'émetteur est réduite à 0.5 µm2 µm. Les résultats d'un test de durée de vie accéléré montrent que la dégradation du gain de courant continu est due à la dégradation thermique de la qualité interfaciale des semi-conducteurs au niveau du rebord de passivation. L'énergie d'activation devrait être d'environ 1.5 eV et le temps moyen extrapolé jusqu'à défaillance devrait être supérieur à 10.8 heures à une température de jonction de 125. Ces résultats indiquent que cette technologie InP HBT est prometteuse pour fabriquer des circuits intégrés de plus de 100 Gbit/s avec une grande fiabilité.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.7 pp.1084-1090
Date de publication
2008/07/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.7.1084
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2007)
Catégories
Appareils basés sur GaAs et InP

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