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Investigation on Current Collapse of AlGaN/GaN HFET by Gate Bias Stress Enquête sur l'effondrement actuel du HFET AlGaN/GaN par contrainte de polarisation de porte

Jin-Ping AO, Yuya YAMAOKA, Masaya OKADA, Cheng-Yu HU, Yasuo OHNO

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Résumé:

Le mécanisme d'effondrement du courant des transistors à effet de champ à hétérojonction (HFET) AlGaN/GaN a été étudié par contrainte de polarisation de grille avec et sans éclairage. Il est précisé qu'il existe deux positions où les charges négatives s'accumulent, au bord de la grille et dans l'épi-couche globale. En mode grille-bord, la charge passe soit par le film de passivation, soit par la couche d'AlGaN, en fonction de la résistance des films. La réduction du courant de fuite dans le film de passivation sera importante pour supprimer l’effondrement lié à la surface.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.7 pp.1004-1008
Date de publication
2008/07/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.7.1004
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on Heterostructure Microelectronics with TWHM 2007)
Catégories
Appareils à base de nitrure

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