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Potential Drop at Electrode Contact of Organic Field-Effect Transistors Evaluated by Optical Second Harmonic Generation Chute de potentiel au contact de l'électrode de transistors à effet de champ organiques évaluée par génération optique de seconde harmonique

Takaaki MANAKA, Motoharu NAKAO, Eunju LIM, Mitsumasa IWAMOTO

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Résumé:

La mesure d'imagerie microscopique de génération optique de seconde harmonique (TRM-SHG) résolue dans le temps a révélé quantitativement la chute de potentiel au niveau du contact de l'électrode des transistors à effet de champ (FET) au pentacène. Une activation du signal SH au bord de l'électrode source d'Ag indique la présence d'une chute de potentiel importante au contact pentacène-Ag pendant le fonctionnement de l'appareil, alors qu'une chute de potentiel négligeable a été observée au contact pentacène-Au. Ces résultats concordent avec les caractéristiques d'injection des électrodes en raison de la relation entre le travail d'extraction du métal et le niveau HOMO de pentacène.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.12 pp.1856-1858
Date de publication
2008/12/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.12.1856
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on The Forefront of 21st Century Organic Molecular Electronics)
Catégories
Transistors

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