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Characterization of Zinc Oxide and Pentacene Thin Film Transistors for CMOS Inverters Caractérisation des transistors à couches minces d'oxyde de zinc et de pentacène pour les inverseurs CMOS

Hiroyuki IECHI, Yasuyuki WATANABE, Hiroshi YAMAUCHI, Kazuhiro KUDO

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Résumé:

Nous avons fabriqué des transistors à couches minces (TFT) et des diodes en utilisant de l'oxyde de zinc (ZnO) et du pentacène, et avons étudié leurs caractéristiques de base. Nous avons constaté que la mobilité par effet de champ est influencée par l'état de l'interface entre les couches semi-conductrices et diélectriques. De plus, l'onduleur CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor) utilisant un transistor à effet de champ (FET) pentacène à canal P et un FET ZnO à canal N a montré un gain de tension relativement élevé (8-12) en optimisant la structure du dispositif. Les onduleurs complémentaires hybrides décrits ici devraient être utilisés dans les écrans flexibles, les étiquettes de cartes d'identification par radiofréquence (RFID), etc.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.12 pp.1843-1847
Date de publication
2008/12/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.12.1843
Type de manuscrit
Special Section PAPER (Special Section on The Forefront of 21st Century Organic Molecular Electronics)
Catégories
Transistors

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