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Avalanche Amplification in Silicon Lateral Photodiode Fabricated by Standard 0.18 µm CMOS Process Amplification d'avalanche dans une photodiode latérale en silicium fabriquée par un processus CMOS standard de 0.18 µm

Koichi IIYAMA, Noriaki SANNOU, Hideki TAKAMATSU

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Résumé:

Une photodiode latérale en silicium est fabriquée par un procédé CMOS standard de 0.18 µm, et la propriété de détection optique est caractérisée. La photodiode a une structure d'électrode interdigitale avec une largeur d'électrode de 0.22 µm et un espacement des électrodes de 0.6 µm. À une longueur d'onde de 830 nm, la réactivité est de 0.12 A/W à faible tension de polarisation et est augmentée à 0.6 A/W en raison de l'amplification par avalanche. La bande passante est également améliorée, passant de 12 MHz à faible tension de polarisation à 100 MHz à une tension de polarisation proche de la tension de claquage.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.11 pp.1820-1823
Date de publication
2008/11/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.11.1820
Type de manuscrit
LETTER
Catégories
Lasers, Électronique quantique

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