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Device Characterization of Thin-Film Phototransistors for Photosensor Applications Caractérisation des phototransistors à couches minces pour les applications de photocapteurs

Mutsumi KIMURA, Yoshitaka NISHIZAKI, Takehiko YAMASHITA, Takehiro SHIMA, Tomohisa HACHIDA

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Résumé:

Deux types de phototransistors à couches minces (TFPT), le TFPT p/i/n et le TFPT n/i/n, sont caractérisés du point de vue des conditions de fonctionnement et du comportement du dispositif. On constate que le courant détecté peut être à la fois indépendant de la tension appliquée (Vapply) et dépendant linéairement de la photoéclairement dans la région de saturation du TFPT p/i/n. Cette caractéristique est due au fait que même si Vapply augmente, la couche d'appauvrissement reste dans toute la région intrinsèque et le champ électrique ne change que près de l'interface type p/intrinsèque et de l'interface intrinsèque/type n, mais reste dans la région la plus intrinsèque. Cette caractéristique est préférable pour certains types d’applications de photocapteurs. Enfin, un exemple d’application du p/i/n TFPT, rétine artificielle, est présenté.

Publication
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol.E91-C No.10 pp.1557-1563
Date de publication
2008/10/01
Publicisé
ISSN en ligne
1745-1353
DOI
10.1093/ietele/e91-c.10.1557
Type de manuscrit
Special Section INVITED PAPER (Special Section on Electronic Displays)
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